用磁控靶源溅射金属和合金很容易,较高真空,点火和溅射很方便。这是因为靶(阴极),等离子体,和被溅零件真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源,回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵,溅射速率很小,非标真空系统,同时接地技术很复杂,因而难大规模采用。为解决此问题,发明了磁控反应溅射。就是用金属靶,加入反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化,与反应气体化合生成氮化物或氧化物。
真空镀膜机溅射镀膜与蒸发镀膜的区别:蒸发镀膜是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来,并且沉降在基片表面,通过成膜过程(散点-岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。
蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证,具体可以调控的因素同上,但是由于原理所限,**高真空,对于非单一组分镀膜,真空,蒸发镀膜的组分均匀性不好。溅射镀膜可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材,并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来,并且较终沉积在基片表面,经历成膜过程,较终形成薄膜。真空镀膜机设备溅射镀膜又分为很多种,与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。